超音频感应加热设备采用的IGBT性能
作者: http://www.zzgpdy.com 发布时间: 2017-02-06 11:22:56 次浏览
说起IGBT感应加热设备，行业内的人士想必都不陌生。但是对于IGBT想必大家也是一知半解，下面超音频感应加热设备的小编来给大家说说IGBT性能。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
超音频感应加热设备IGBT的主要优点有：
1.IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。
2.IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。
2.较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。
3.IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。
4.与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。
5.若把IGBT的p漏极区分割为几个不同导电型号的区域（即再加进几个n层），这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用，则还可进一步减小器件的导通电阻。
若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
需要订购超音频感应加热设备的客户请拨打德胜电子厂家的热线电话，更多行业资讯请关注德胜电子的官方网站：http://www.zzgpdy.com/
上一篇：蓝硕电子祝新老客户新年快乐！
下一篇：供应超音频感应加热设备型号齐全价格优惠中
